日東0.188亮面、霧面ITO導電膜

ITO導電膜ITO導電膜是指采用磁控濺射的方法（ITO 薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應離子鍍、化學氣相沉積、熱解噴涂等, 但使用最多的是反應磁控濺射法），在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術產(chǎn)品。ITO膜層的厚度不同，膜的導電性能和透光性能也不同。一般來說，在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下，ITO膜層越厚，PET-ITO膜的表面電阻越小，光透過率也相應的越小。
以下是兩種不同的PET-ITO導電膜的參數(shù)：
高阻抗ITO導電膜（PET-ITO）
高阻抗ITO導電薄膜PET-ITO主要應用于移動通訊領域的觸摸屏生產(chǎn)。
產(chǎn)品參數(shù)：
面電阻：300～500 Ω/□
面電阻均勻性：MD≤±3%，TD≤±6%
薄膜厚度：0.188±10%
線性度（MD）：≤1.5%
全光線透過率：≥86%
表面硬度（鉛筆硬度）：≥3H
熱穩(wěn)定性：(R-R0)/R: ±20%
熱收縮率：MD≤1.0%，TD≤0.8%
加熱卷曲：≤10mm
低阻抗ITO導電膜（PET-ITO）
低阻抗ITO導電膜可用于對導電性能要求比較高的領域，如：用于薄膜太陽能電池的透明電極、電致變色器件的電極材料、薄膜開關等領域。
產(chǎn)品參數(shù)：
薄膜厚度：0.175±10 mm
霧度：<2%
寬度：406/360±2 mm
粘附：100/100
卷曲：≤10 mm
透過率：≥ 80%
表面電阻：90±15 Ω/□
面電阻均勻性：<7%
熱收縮：MD≤1.3，TD≤1.0
熱穩(wěn)定性：
高溫：80oC,120hr  ≤1.3
低溫：-40oC,120hr ≤1.3
熱循環(huán)：-30oC—80oC    ≤1.3
熱/濕度：  60oC, 90% RH,120hr  ≤1.3